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LTE高效率功放解决方案

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LTE是Long Term Evolution的缩写,是3.9G的全球标准, 并非人们普遍误解的4G技术,而是3G与4G技术之间的一个过渡,采用“正交频分复用”OFDM和MIMO作为其无线网络演进的唯一标准,被看作“准4G”技术。这个标准分为时分双工(TDD)和频分双工(FDD)两大阵营。目前我国中国移动主推的是TD-LTE。

标签: LTE,功放

方案概述

LTE是Long Term Evolution的缩写,是3.9G的全球标准, 并非人们普遍误解的4G技术,而是3G与4G技术之间的一个过渡,采用“正交频分复用”OFDM和MIMO作为其无线网络演进的唯一标准,被看作“准4G”技术。这个标准分为时分双工(TDD)和频分双工(FDD)两大阵营。目前我国中国移动主推的是TD-LTE。

方案优势

本文的方案选用Freescale的八代管和Airfast器件作为主要的末级推动。这几个型号是现在最主流的选择,具有以下特点:
● 采用对管形式,具有高集成度成本优势,减小了射频单元体积和重量。
● 具有较高的峰值功率,有很好的一致性和高可靠性。
● 针对LTE功率相对较低,效率要求高的特点,这两颗芯片都采用对管的形式,从而Doherty的设计更方便,一致性更高,效率提高更明显,同时具有一定的线性余量。
● 通过数字预失真(DPD)可以让PA在具有更高功率效率的情况下,进一步优化PA线性。

关键元器件

型号 描述 产品分类 制造商 数据文档 购买
MRF8P23160WH 2300-2400 MHz, 30 W Avg., 28 V Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs 射频放大器 NXP Semiconductors 数据文档 在线购买
MRF8P26080 Mosfet Rf n-Ch 65v Ni780-4 射频放大器 NXP Semiconductors 在线购买
AFT26HW050GS The AFT26HW050GS is designed specifically for wide instantaneous bandwidth micro/metro cell LTE applications between 2500-2700 MHz. 射频放大器 NXP Semiconductors 数据文档 在线购买